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【材料科学青年学者系列讲座20】金属拓扑磁存储材料及功能化

发布日期:2023-11-30 作者: 编辑:科研办公室 点击:

报告题目:金属拓扑磁存储材料及功能化

报告人:侯志鹏 研究员

主持人(邀请人): 张侃 教授

报告时间:2023年12月2日 15:30-17:00

报告地点:唐敖庆楼D429

主办单位:汽车材料教育部重点实验室;乐鱼体育-官方网站

报告摘要:以硬盘为代表的磁存储器件,存储了全球约百分之七十的数据。然而,其存储速度、密度和能耗均已趋于功能极限。近年来,新型磁存储材料和新器件不断涌现,特别是具有拓扑涡旋组态的斯格明子,凭借其纳米尺度、拓扑保护、低驱动电流密度等优异特性,被认为是突破存储极限、构建新一代磁存储技术的核心。目前,斯格明子主要依靠DzyaloshinskiiMoriya相互作用保持稳定。而DM相互作用产生须依赖强自旋轨道耦合和晶体结构对称破缺,条件苛刻,自然界中材料不多。同时,大多数材料的DM相互作用强度偏弱,要实现室温宽温域斯格明子,很有挑战。针对该问题,报告人系统发展了以磁偶极相互作用与海森堡交换作用竞争来代替DM相互作用的设计原理、制备技术和表征方法,取得良好进展:(1)从晶体结构与磁各向异性两个方面,对传统金属间化合物进行创新结构设计和物性调控,开发出迄今最高工作温度(630 K)和最宽温域(100 K–630 K)的斯格明子新材料Fe3Sn2;(2)在此基础上,将几何限域效应与应变调控相结合,建立了斯格明子多态、非易失、超低能耗调控新方法,为斯格明子器件研发提供了新思路。

报告人简介:侯志鹏,华南师范大学研究员,国家优秀青年科学基金(2023年)、广东省杰出青年基金(2022年)获得者。2015年在中科院物理所和乐鱼体育联合培养下获博士学位,师从王文全教授、吴光恒研究员,随后在中科院物理所、沙特阿卜杜拉国王科技大学做博士后研究。2018年9月加入华南师范大学。长期从事磁斯格明子材料开发与器件应用研究,以第一/通讯作者在Nat. Commun.、Adv. Mater等期刊发表SCI论文四十余篇。2022年获得“中国新锐科技人物创新贡献奖”。

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